RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
24
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link