RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
62
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
26
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3068
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link