RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
62
Intorno -138% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
26
Velocità di lettura, GB/s
7.4
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
3068
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link