RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2124
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link