RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
62
Por volta de -158% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
24
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2124
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link