RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
62
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
25
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link