RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3664
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link