RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
62
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
32
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3217
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston KHX1600C10D3L/8G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link