RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
62
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
32
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3217
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link