RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
62
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
32
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3217
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link