RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3127
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link