RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3127
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link