RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 49
    Около -113% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.3 left arrow 10
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.4 left arrow 8.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    49 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.0 left arrow 16.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.2 left arrow 12.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2116 left arrow 2637

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
модули RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
модули RAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
модули RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
модули RAM
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
модули RAM