RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2637
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link