RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
19.7
Скорость записи, Гб/сек
7.1
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3917
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link