RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
19.7
Скорость записи, Гб/сек
7.1
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3917
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link