RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
43
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2776
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link