RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB против SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1678
2780
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link