RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB против Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.9
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2245
3505
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link