RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB против Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.9
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2245
3505
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link