RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2245
3505
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link