RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB против Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
90
Около -131% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,140.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
90
39
Скорость чтения, Гб/сек
2,699.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,140.4
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
436
2443
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston FQ453-80003 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link