RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
60
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,755.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,813.5
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,755.7
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
591
3638
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link