RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,755.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,813.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,755.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
591
3638
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link