RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
65
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2478
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link