RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
65
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3046
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link