RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
65
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3046
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link