RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
65
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
46
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3038
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link