RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3409
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link