RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
65
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
43
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2250
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link