RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
65
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
63
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1863
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link