RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
65
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
46
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
11.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2541
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link