RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3012
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link