RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3781
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link