RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
65
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
40
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2674
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link