RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
77
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
77
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
11.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1517
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link