RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link