RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
65
Около -150% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link