RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
65
Около -150% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3733
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link