RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
65
Около -225% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3244
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link