RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
65
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2576
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link