RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
65
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link