RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
65
Около -242% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
19
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2991
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link