RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
65
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2725
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link