RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
65
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3122
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link