RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
65
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3396
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link