RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
65
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
40
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2786
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link