RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
65
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link