RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2373
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link