RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2373
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link