RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
65
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2982
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
INTENSO M418039 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link