RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3036
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link