RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
71
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
5.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
71
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
12.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
5.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1359
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link