RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
65
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2923
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link