RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
73
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
73
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1838
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link