RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
65
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3222
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link